Integra Technologies lance la première technologie RF GaN/SiC 100 V de l’industrie pour les applications de défense critiques

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Le premier produit GaN RF 100 V d’Integra, l’IGN1011S3600, offre des performances de puissance de sortie révolutionnaires de 3,6 kilowatts à 70 % d’efficacité pour les systèmes avioniques de nouvelle génération

EL SEGUNDO, Californie — Integra, l’un des principaux fournisseurs de solutions innovantes d’alimentation RF et micro-ondes qui contribuent à créer un monde plus sûr et plus connecté, a présenté aujourd’hui la première technologie RF GaN/SiC 100 V du secteur ciblant un large éventail d’applications, notamment le radar, l’avionique , la guerre électronique, les systèmes industriels, scientifiques et médicaux. Fonctionnant à 100 V, cette technologie brise les barrières de performance de puissance RF en atteignant 3,6 kilowatts (kW) de puissance de sortie dans un seul transistor GaN. Le 100V GaN d’Integra donne aux concepteurs la possibilité d’augmenter considérablement les niveaux de puissance et les fonctionnalités du système tout en simplifiant les architectures du système avec moins de circuits de combinaison de puissance par rapport à la technologie plus courante 50V/65V GaN. Les clients bénéficient en fin de compte d’une empreinte système plus petite et d’un coût système inférieur.

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Suja Ramnath, présidente et chef de la direction d’Integra, a déclaré : « La technologie 100 V RF GaN d’Integra représente une étape importante sur le marché de la haute puissance. Cette technologie innovante supprime les barrières limitant les performances du système aujourd’hui et permet de nouvelles architectures auparavant impossibles. Nous sommes ravis que cette technologie de rupture permettra à nos clients de fournir une nouvelle génération de solutions d’alimentation RF hautes performances de plusieurs kilowatts tout en réduisant leur temps de cycle de conception et les coûts des produits.

Le Dr Mahesh Kumar, architecte de systèmes radar pour l’aérospatiale et la défense et cadre technologique, a déclaré : « La première technologie d’Integra à commercialiser la technologie RF GaN 100 V redéfinira complètement ce qui est possible pour les systèmes RF haute puissance. En fournissant environ deux fois plus de puissance qu’un transistor GaN 50 V dans un seul boîtier, il éliminera un nombre important de combineurs et de circuits électroniques associés, ce qui se traduira par un volume, un poids et un coût du système inférieurs et une efficacité du système plus élevée.

Le premier produit 100V RF GaN d’Integra est l’IGN1011S3600, conçu spécifiquement pour les applications avioniques. L’IGN1011S3600 offre une puissance de sortie de 3,6 kW avec un gain de 19 dB et un rendement de 70 %. L’IGN1011S3600, basé sur le 100V RF GaN d’Integra, est une solution convaincante pour les programmes qui nécessitent des améliorations en termes de taille, de poids, de puissance et de coût (SWAP-C). L’IGN1011S3600 100V RF GaN/SiC est disponible pour l’échantillonnage aux clients qualifiés.

À PROPOS D’INTEGRA TECHNOLOGIES, INC.

Fondée en 1997, Integra est un innovateur de premier plan en matière de solutions de palettes d’amplificateurs et de semi-conducteurs haute puissance RF et hyperfréquences pour les applications critiques, notamment les radars de pointe, la guerre électronique et les systèmes de communication avancés. Pour plus d’informations, visitez www.integratech.com.

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Angie Callau
Technologies Intégra inc
acallau@integratech.com
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